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74AUP1G132GM

产品描述Low-power 2-input NAND Schmitt trigger
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小78KB,共18页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G132GM概述

Low-power 2-input NAND Schmitt trigger

74AUP1G132GM规格参数

参数名称属性值
Source Url Status Check Date2013-06-14 00:00:00
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6
针数6
Reach Compliance Codecompli
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1.45 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su27.9 ns
传播延迟(tpd)27.9 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm
Base Number Matches1

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74AUP1G132
Low-power 2-input NAND Schmitt trigger
Rev. 02 — 15 June 2009
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G132 provides the single 2-input NAND Schmitt trigger function which accept
standard input signals. They are capable of transforming slowly changing input signals
into sharply defined, jitter-free output signals.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
The inputs switch at different points for positive and negative-going signals. The difference
between the positive voltage V
T+
and the negative voltage V
T−
is defined as the input
hysteresis voltage V
H
.
2. Features
I
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
I
High noise immunity
I
ESD protection:
N
HBM JESD22-A114E Class 3A exceeds 5000 V
N
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
N
CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V
I
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
µA
(maximum)
I
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
I
Inputs accept voltages up to 3.6 V
I
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
I
Multiple package options
I
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C
3. Applications
I
Wave and pulse shaper
I
Astable multivibrator
I
Monostable multivibrator.

74AUP1G132GM相似产品对比

74AUP1G132GM 74AUP1G132 74AUP1G132GF 74AUP1G132GW
描述 Low-power 2-input NAND Schmitt trigger Low-power 2-input NAND Schmitt trigger Low-power 2-input NAND Schmitt trigger Low-power 2-input NAND Schmitt trigger
Source Url Status Check Date 2013-06-14 00:00:00 - 2013-06-14 00:00:00 2013-06-14 00:00:00
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON - SON TSSOT
包装说明 1 X 1.45 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-252, SOT-886, SON-6 - 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-891, SON-6 1.25 MM, PLASTIC, MO-203, SC-88A, SOT353-1, TSSOP-5
针数 6 - 6 5
Reach Compliance Code compli - compli compli
系列 AUP/ULP/V - AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N6 - S-PDSO-N6 R-PDSO-G5
JESD-609代码 e3 - e3 e3
长度 1.45 mm - 1 mm 2.05 mm
负载电容(CL) 30 pF - 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE - NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.0017 A - 0.0017 A 0.0017 A
湿度敏感等级 1 - 1 1
功能数量 1 - 1 1
输入次数 2 - 2 2
端子数量 6 - 6 5
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON - VSON TSSOP
封装等效代码 SOLCC6,.04,20 - SOLCC6,.04,14 TSSOP5/6,.08
封装形状 RECTANGULAR - SQUARE RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260
电源 1.2/3.3 V - 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su 27.9 ns - 27.9 ns 27.9 ns
传播延迟(tpd) 27.9 ns - 27.9 ns 27.9 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES - YES YES
座面最大高度 0.5 mm - 0.5 mm 1.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V - 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V
表面贴装 YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE - AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD - NO LEAD GULL WING
端子节距 0.5 mm - 0.35 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 30
宽度 1 mm - 1 mm 1.25 mm
Base Number Matches 1 - 1 1

 
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