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74AUP1G09GF

产品描述AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小68KB,共15页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP1G09GF概述

AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5

AUP/ULP/V 系列, 2输入 与门, PDSO5

74AUP1G09GF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明VSON, SOLCC6,.04,14
针数6
Reach Compliance Codecompli
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码S-PDSO-N6
JESD-609代码e3
长度1 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量6
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VSON
封装等效代码SOLCC6,.04,14
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su24 ns
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器YES
座面最大高度0.5 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.35 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度1 mm

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74AUP1G09
Low-power 2-input AND gate with open-drain
Rev. 01 — 15 January 2009
Product data sheet
1. General description
The 74AUP1G09 provides the single 2-input AND gate with an open-drain output. The
output of the device is an open-drain and can be connected to other open-drain outputs to
implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using I
OFF
.
The I
OFF
circuitry disables the output, preventing the damaging backflow current through
the device when it is powered down.
2. Features
I
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
I
High noise immunity
I
Complies with JEDEC standards:
N
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
N
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
N
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
N
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
N
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
I
ESD protection:
N
HBM JESD22-A114E exceeds 5000 V
N
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
N
CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V
I
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
µA
(maximum)
I
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II
I
Inputs accept voltages up to 3.6 V
I
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
I
Multiple package options
I
Specified from
−40 °C
to +85
°C
and
−40 °C
to +125
°C

74AUP1G09GF相似产品对比

74AUP1G09GF 74AUP1G09 74AUP1G09GM 74AUP1G09GW
描述 AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5 AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5 AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5 AUP/ULP/V SERIES, 2-INPUT AND GATE, PDSO5
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
功能数量 1 1 1 1
端子数量 6 5 6 5
输出特性 OPEN-DRAIN O-DRN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
表面贴装 YES Yes YES YES
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD GULL WING NO LEAD GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
是否无铅 不含铅 - 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON - SON TSSOT
包装说明 VSON, SOLCC6,.04,14 - VSON, SOLCC6,.04,20 TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数 6 - 6 5
Reach Compliance Code compli - compli compli
JESD-30 代码 S-PDSO-N6 - R-PDSO-N6 R-PDSO-G5
JESD-609代码 e3 - e3 e3
长度 1 mm - 1.45 mm 2.05 mm
负载电容(CL) 30 pF - 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 AND GATE - AND GATE AND GATE
最大I(ol) 0.0017 A - 0.0017 A 0.0017 A
湿度敏感等级 1 - 1 1
输入次数 2 - 2 2
最高工作温度 125 °C - 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VSON - VSON TSSOP
封装等效代码 SOLCC6,.04,14 - SOLCC6,.04,20 TSSOP5/6,.08
封装形状 SQUARE - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TAPE AND REEL - TAPE AND REEL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 260
电源 1.2/3.3 V - 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Su 24 ns - 24 ns 24 ns
传播延迟(tpd) 24 ns - 24 ns 24 ns
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 YES - YES YES
座面最大高度 0.5 mm - 0.5 mm 1.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V - 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V - 1.1 V 1.1 V
技术 CMOS - CMOS CMOS
端子面层 Tin (Sn) - Tin (Sn) Tin (Sn)
端子节距 0.35 mm - 0.5 mm 0.65 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 30
宽度 1 mm - 1 mm 1.25 mm
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