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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF9Z14STRL
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IRF9Z14STRL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小359KB，共10页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRF9Z14STRL在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IRF9Z14STRL概述

Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

IRF9Z14STRL规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）140 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.7 A
最大漏极电流 (ID)6.7 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）225
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值43 W
最大功率耗散 (Abs)43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)27 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 9.911A
IRF9Z14S/L
HEXFET
®
Power MOSFET
Advanced Process Technology
l
Surface Mount (IRF9Z14S)
l
Low-profile through-hole (IRF9Z14L)
l
175°C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
P- Channel
l
Fully Avalanche Rated
Description
l
D
V
DSS
= -60V
R
DS(on)
= 0.50Ω
G
S
I
D
= -6.7A
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs
are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The D
2
Pak is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible on-
resistance in any existing surface mount package. The
D
2
Pak is suitable for high current applications because of
its low internal connection resistance and can dissipate
up to 2.0W in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRF9Z14L) is available for low-
profile applications.
D 2 Pak
T O -2 6 2
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V…
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V…
Pulsed Drain Current
…
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy‚…
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ…
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
-6.7
-4.7
-27
3.7
43
0.29
± 20
140
-6.7
4.3
-4.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**
Typ.
–––
–––
Max.
3.5
40
Units
°C/W
8/25/97

IRF9Z14STRL相似产品对比

IRF9Z14STRL IRF9Z14STRR
描述 Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 D2PAK D2PAK
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW ON RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas） 140 mJ 140 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.7 A 6.7 A
最大漏极电流 (ID) 6.7 A 6.7 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
功耗环境最大值 43 W 43 W
最大功率耗散 (Abs) 43 W 43 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 27 A 27 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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