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IRHLUB780Z4PBF

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小134KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准  
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IRHLUB780Z4PBF概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3

IRHLUB780Z4PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.8 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRHLUB780Z4PBF相似产品对比

IRHLUB780Z4PBF IRHLUB740Z4PBF
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3 SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.8 A 0.8 A
最大漏源导通电阻 0.55 Ω 0.55 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XDSO-N3 R-XDSO-N3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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