Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRHLUB780Z4PBF | IRHLUB740Z4PBF | |
---|---|---|
描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UB-3 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3 | SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.8 A | 0.8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.55 Ω | 0.55 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-XDSO-N3 | R-XDSO-N3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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