M29W008AT90N1TR,M29W008AT90N1TR pdf中文资料,M29W008AT90N1TR引脚图,M29W008AT90N1TR电路-Datasheet-电子工程世界

M29W008AT90N1TR: 产品描述1MX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40; 产品类别存储存储; 文件大小585KB，共36页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M29W008AT90N1TR概述

1MX8 FLASH 2.7V PROM, 90ns, PDSO40, 10 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-40

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1,
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	20 YEARS DATA RETENTION; TOP BOOT BLOCK
启动块	TOP
数据保留时间-最小值	20
JESD-30 代码	R-PDSO-G40
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	40
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
类型	NOR TYPE
宽度	10 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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