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PG201R_B0_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG201R_B0_10001概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-15,

PG201R_B0_10001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.15 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PG201R_B0_10001文档预览

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PG200R~PG2010R
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volt
CURRENT
2 Ampere
0.034(0.86)
0.028(0.71)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Glass passivated junction
• Fast switching for high efficiency.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
• Case: Molded plastic, DO-15
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
0.300(7.6)
0.230(5.8)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PARAM ET ER
M aximum Rec ur r ent Peak Rever se Volt age
M aximum RM S Volt age
M aximum DC Block ing Volt age
M aximum Aver age For w ar d Cur r ent 0. 375" ( 9. 5mm)
lead lengt h at T
A
= 55
O
C
Peak F or w ar d Sur ge Cur r e nt : 8. 3ms s ingle ha lf sine- w ave
s uper imposed on r at ed load
M aximum For w ar d Volt age at 2A
M aximum DC Rever se Cur r ent at Rat ed DC Bloc king
Volt age
M aximum Rever s e Rec over y Time ( Not e 1)
Ty pical Junct ion Capac it anc e ( Not e 2)
Ty pical Ther mal Res ist ance ( Not e 3)
O per at ing J unc t ion and St or age Temper at ur e Range
T
J
= 25
O
C
T
J
= 100
O
C
SY M BO L PG 200R PG 201R PG 202R PG 204R PG 206R PG 208R PG 2010R UNI TS
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F( AV)
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
A
T
J
, T
STG
150
35
40
- 55 t o + 150
O
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1.0(25.4)MIN.
0.140(3.6)
0.104(2.6)
400
280
400
2
70
1. 3
1
150
60 0
42 0
60 0
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
μA
25 0
500
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
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PAGE . 1
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