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DM5430J

产品描述NAND Gate, TTL/H/L Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小95KB,共2页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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DM5430J概述

NAND Gate, TTL/H/L Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14

DM5430J规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
系列TTL/H/L
JESD-30 代码R-GDIP-T14
长度19.43 mm
逻辑集成电路类型NAND GATE
功能数量1
输入次数8
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
传播延迟(tpd)15 ns
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

DM5430J相似产品对比

DM5430J DM5430W
描述 NAND Gate, TTL/H/L Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 NAND Gate, TTL/H/L Series, 1-Func, 8-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 DIP, DFP,
Reach Compliance Code unknown unknown
系列 TTL/H/L TTL/H/L
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDFP-F14
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE
功能数量 1 1
输入次数 8 8
端子数量 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
传播延迟(tpd) 15 ns 15 ns
座面最大高度 5.08 mm 2.032 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 TTL TTL
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 6.35 mm
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