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FMY1AT149

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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FMY1AT149概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

FMY1AT149规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G5
元件数量2
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN AND PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
VCEsat-Max0.4 V
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