Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1907(TE85R)

RN1907(TE85R): 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小291KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1907(TE85R)概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

RN1907(TE85R)规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz

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RN1907~RN1909

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1907,RN1908,RN1909

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2907 to RN2909

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1907

RN1908

RN1909

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

US6

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2J1A

Weight: 6.8mg(typ.)

Unit

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1907 to

1909

RN1907

Emitter-base voltage

RN1908

RN1909

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1907 to

1909

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

200

150

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

Equivalent Circuit

(Top View)

2010-05-14

RN1907(TE85R)相似产品对比

	RN1907(TE85R)	RN1907(TE85L)	RN1907TE85R	RN1907TE85N	RN1907TE85L
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1A, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.213
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	80	80	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-
基于收集器的最大容量	-	-	6 pF	6 pF	6 pF
最高工作温度	-	-	150 °C	150 °C	150 °C
VCEsat-Max	-	-	0.3 V	0.3 V	0.3 V

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