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S-LBAT54SWT1G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-70, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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S-LBAT54SWT1G概述

Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-70, 3 PIN

S-LBAT54SWT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual Series Schottky
Barrier Diodes
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low forward
voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is excel-
lent for hand held and portable applications where space is limited.
• Extremely Fast Switching Speed
• Low Forward Voltage — 0.35 Volts (Typ) @ I
F
= 10 mAdc
LBAT54SWT1G
S-LBAT54SWT1G
3
We declare that the material of product
compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
ORDERING INFORMATION
Device
LBAT54SWT1G
S-LBAT54SWT1G
LBAT54SWT3G
S-LBAT54SWT3G
Marking
B8
B8
Shipping
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
1
2
SOT–323 (SC–70)
CATHODE
2
ANODE
1
3
CATHODE/ANODE
DEVICE MARKING
LBAT54SWT1G= B8
MAXIMUM RATINGS
(T
J
= 125°C unless otherwise noted)
Rating
Reverse Voltage
Forward Power Dissipation
@ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Forward Current(DC)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
R
P
F
Value
30
200
1.6
200Max
125Max
–55 to +150
Unit
Volts
mW
mW/°C
mA
°C
°C
I
F
T
J
T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage (I
R
= 10
µA)
Total Capacitance (V
R
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
Reverse Leakage (V
R
= 25 V)
Forward Voltage (I
F
= 0.1 mAdc)
Forward Voltage (I
F
= 30 mAdc)
Forward Voltage (I
F
= 100 mAdc)
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc, Figure 1)
Forward Voltage (I
F
= 1.0 mAdc)
Forward Voltage (I
F
= 10 mAdc)
Forward Current (DC)
Repetitive Peak Forward Current
Non–Repetitive Peak Forward Current (t < 1.0 s)
Symbol
V
(BR)R
C
T
I
R
V
F
V
F
V
F
t
rr
V
F
V
F
I
F
I
FRM
I
FSM
Min
30
Typ
0.5
0.22
0.41
0.52
0.29
0.35
Max
10
2.0
0.24
0.5
1.0
5.0
0.32
0.40
200
300
600
Unit
Volts
pF
µAdc
Vdc
Vdc
Vdc
ns
Vdc
Vdc
mAdc
mAdc
mAdc
Rev.A 1/3

S-LBAT54SWT1G相似产品对比

S-LBAT54SWT1G S-LBAT54SWT3G
描述 Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-70, 3 PIN Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, SC-70, 3 PIN
厂商名称 LRC LRC
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.2 W 0.2 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 YES YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

 
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