Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1968TE85R

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RN1968TE85R: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小313KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1968TE85R概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN1968TE85R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V

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RN1967~RN1969

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1967,RN1968,RN1969

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in US6 (ultra super mini type 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2967 to RN2969

Unit:mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1967

RN1968

RN1969

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2J1B

Weight: 6.8 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1967 to 1969

RN1967

Emitter-base voltage

RN1968

RN1969

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1967 to 1969

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

200

150

−55

to150

°C

Unit

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)

may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the

operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are

within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba

Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating

Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

Equivalent Circuit

(Top View)

2010-05-20

RN1968TE85R相似产品对比

	RN1968TE85R	RN1968(TE85L)	RN1968(TE85R)	RN1968TE85N	RN1968TE85L
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, US6, 2-2J1B, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	80	80	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
厂商名称	Toshiba(东芝)	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
基于收集器的最大容量	6 pF	-	-	6 pF	6 pF
最高工作温度	150 °C	-	-	150 °C	150 °C
VCEsat-Max	0.3 V	-	-	0.3 V	0.3 V
包装说明	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	-

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