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FLK107XV

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小233KB,共4页
制造商SUMITOMO(住友)
官网地址https://global-sei.com/
标准  
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FLK107XV概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-8

FLK107XV规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SUMITOMO(住友)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带KU BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N8
元件数量1
端子数量8
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

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FLK107XV
GaAs FET & HEMT Chips
FEATURES
High Output Power: P1dB = 30.0dBm(Typ.)
High Gain: G1dB = 6.5dB(Typ.)
High PAE:
η
add = 31%(Typ.)
Proven Reliability
Drain
Drain
Drain
Drain
DESCRIPTION
The FLK107XV chip is a power GaAs FET that is
designed for general purpose applications in the Ku-Band
frequency range as it provides superior power, gain, and
efficiency.
Eudynas
stringent Quality Assurance Program assures the
highest reliability and consistent performance.
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)
Item
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Total Power Dissipation
Storage Temperature
Channel Temperature
Symbol
VDS
VGS
Ptot
Tstg
Tch
Condition
Rating
15
-5
Tc = 25°C
7.50
-65 to +175
175
Unit
V
V
W
°C
°C
Gate
Gate
Gate
Gate
Eudyna
recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:
1. The drain-source operating voltage (VDS) should not exceed 10 volts.
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 8.8 and -0.5 mA respectively with
gate resistance of 500Ω.
3. The operating channel temperature (Tch) should not exceed 145°C.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)
Item
Saturated Drain Current
Transconductance
Pinch-off Voltage
Gate Source Breakdown Voltage
Output Power at 1dB
Gain Compression Point
Power Gain at 1dB
Gain Compression Point
Power-added Efficiency
Thermal Resistance
Symbol
IDSS
gm
Vp
VGSO
P1dB
G1dB
η
add
Rth
Channel to Case
VDS = 10V
IDS
0.6IDSS
f = 14.5GHz
Test Conditions
VDS = 5V, VGS = 0V
VDS = 5V, IDS = 250mA
VDS = 5V, IDS = 20mA
IGS = -20µA
Min.
-
-
-1.0
-5
29
5.5
-
-
Limit
Typ. Max.
400
200
-2.0
-
30
6.5
31
15
600
-
-3.5
-
-
-
-
20
Unit
mA
mS
V
V
dBm
dB
%
°C/W
Note:
RF parameter sample size 10pcs. criteria (accept/reject)=(2/3)
The chip must be enclosed in a hermetically sealed environment for optimum performance and reliability.
Edition 1.3
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