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RBVN2222NC

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 220V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DIP-20
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商Supertex
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RBVN2222NC概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 220V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CERAMIC, DIP-20

RBVN2222NC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Supertex
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-CDIP-T20
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH INPUT IMPEDANCE, HIGH RELIABILITY
最小漏源击穿电压220 V
最大漏极电流 (ID)0.9 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)35 pF
JESD-30 代码R-CDIP-T20
端子数量20
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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