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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RF1K4915796
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RF1K4915796

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB，共1页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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RF1K4915796概述

Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RF1K4915796规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)6.3 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间（toff）265 ns
最大开启时间（吨）85 ns

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