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FSL23A4R4: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小87KB，共10页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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FSL23A4R4概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3

FSL23A4R4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	BCY
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	5 A
最大漏极电流 (ID)	5 A
最大漏源导通电阻	0.48 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	10 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	15 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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