Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1710TE85R

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RN1710TE85R: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小279KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1710TE85R概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

RN1710TE85R规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G5
元件数量	2
端子数量	5
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
VCEsat-Max	0.3 V

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RN1710,RN1711

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1710,RN1711

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN2710 and RN2711

Unit: mm

Equivalent Circuit

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)

Characterisstic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

100

200

150

−55

to150

Unit

°C

USV

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2−2L1A

Weight: 6.2 mg (typ.)

Equivalent Circuit

(Top View)

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in temperature,

etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.)

are within the absolute maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba

Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating

Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

*: Total rating

2010-05-21

RN1710TE85R相似产品对比

	RN1710TE85R	RN1710(TE85L)	RN1710TE85L	RN1710(TE85R)
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USV, 2-2L1A, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USV, 2-2L1A, 5 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5	R-PDSO-G5
元件数量	2	2	2	2
端子数量	5	5	5	5
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz

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