Mixer Diode, Medium Barrier, L Band to K Band, Silicon
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hewlett Packard Co |
包装说明 | R-LDMW-F2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY VERSION AVAILABLE |
配置 | SINGLE |
最大二极管电容 | 0.1 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | MIXER DIODE |
频带 | L BAND TO K BAND |
JESD-30 代码 | R-LDMW-F2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROWAVE |
脉冲输入最大功率 | 0.15 W |
脉冲输入功率最小值 | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
肖特基势垒类型 | MEDIUM BARRIER |
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