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NE900200

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小258KB,共1页
制造商NEC(日电)
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NE900200概述

RF Power Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,

NE900200规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
最高频带KU BAND
JESD-30 代码X-XUUC-N
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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