Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Semicoa |
| 零件包装代码 | TO-39 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
| 认证状态 | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/290 |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| JAN2N2905 | JANTX2N2905 | JANTXV2N2905 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Semicoa | Semicoa | Semicoa |
| 零件包装代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数 | 3 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.6 A | 0.6 A | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V | 40 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 | 30 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.6 W | 0.6 W |
| 认证状态 | Qualified | Qualified | Qualified |
| 参考标准 | MIL-19500/290 | MIL-19500/290 | MIL-19500/290 |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 200 MHz | 200 MHz |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
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