4.5A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, I2PAK-3
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | TO-262AA |
包装说明 | I2PAK-3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
雪崩能效等级(Eas) | 60 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 4.5 A |
最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 18 A |
认证状态 | COMMERCIAL |
表面贴装 | NO |
端子面层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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