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JANTXV2N3019S

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共34页
制造商Raytheon Company
官网地址https://www.raytheon.com/
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JANTXV2N3019S概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-39, 3 PIN

JANTXV2N3019S规格参数

参数名称属性值
厂商名称Raytheon Company
包装说明SIMILAR TO TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/391H
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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The documentation and process conversion measures
necessary to comply with this document shall be
completed by 9 April 2004.
INCH-POUND
MIL-PRF-19500/391J
9 December 2004
SUPERSEDING
MIL-PRF-19500/391H
30 April 2003
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET
SEMICONDUCTOR DEVICE, TRANSISTOR, NPN, SILICON, LOW-POWER
TYPES 2N3019, 2N3019S, 2N3057A, 2N3700, AND 2N3700UB
JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA AND JANKCA
This specification is approved for use by all Departments
and Agencies of the Department of Defense.
The requirements for acquiring the product described herein shall consist of
this specification sheet and MIL-PRF-19500.
1. SCOPE
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, low-power transistors. Four
levels of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of product
assurance are provided for the unencapsulated device type 2N3700.
1.2 Physical dimensions. See figure 1, 2N3019 (TO-5) and 2N3019S (similar to TO-39), figure 2, 2N3057A
(TO-46), figure 3, 2N3700 (TO-18), figure 4, 2N3700UB, and figure 5, JANHCA2N3700 and JANKCA2N3700.
1.3 Maximum ratings unless otherwise specified T
A
= +25°C.
I
C
A dc
1
Types
V
CBO
V dc
140
P
T
T
A
= +25°C
(1) (2)
W
0.800
0.800
0.500
0.500
0.500
V
EBO
V dc
7
P
T
T
C
= +25°C
(1) (2)
W
5
5
1.8
1
N/A
V
CEO
V dc
80
T
J
and T
STG
°C
-65 to +200
R
θJA
(2) (3) (4)
°C/W
175
175
325
325
325
R
θJC
(2) (3)
°C/W
30
30
80
150
N/A
R
θJSP(IS)
(2) (3)
°C/W
N/A
N/A
N/A
N/A
90
2N3019
2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
(1)
(2)
(3)
(4)
P
T
T
SP(IS)
= +25°C
(1) (2)
W
N/A
N/A
N/A
N/A
1.5
For derating, see figures 6, 7, 8, 9, 10, 11, and 12.
See 3.3.
For thermal curves, see figures 13, 14, 15, 16, 17, 18, and 19.
For non-thermal conductive PCB or unknown PCB surface mount conditions in free air, substitute figures 7 and
12 for the UB package and use R
θJA
.
* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,
Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to
Semiconductor@dscc.dla.mil.
Since contact information can change, you may want to verify the currency of this
address information using the ASSIST Online database at
http://assist.daps.dla.mil
.
AMSC N/A
FSC 5961

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JANTXV2N3019S JANTX2N3019S
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-39, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-39, 3 PIN
厂商名称 Raytheon Company Raytheon Company
包装说明 SIMILAR TO TO-39, 3 PIN SIMILAR TO TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/391H MIL-19500/391H
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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