Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Harris |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2 A |
最大漏极电流 (ID) | 2 A |
最大漏源导通电阻 | 2.5 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 25 W |
最大功率耗散 (Abs) | 10 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 262 ns |
最大开启时间(吨) | 104 ns |
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