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FRL430D1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共4页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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FRL430D1概述

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

FRL430D1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARDENED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大功率耗散 (Abs)10 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)262 ns
最大开启时间(吨)104 ns
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