Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDS9942D84Z

NDS9942D84Z: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小161KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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NDS9942D84Z概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

NDS9942D84Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (ID)	3 A
最大漏源导通电阻	0.125 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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NDS9942D84Z相似产品对比

	NDS9942D84Z	NDS9942	NDS9942S62Z	NDS9942L86Z	NDS9942L99Z
描述	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.125ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
零件包装代码	SOT	SOT	SOT	SOT	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
最大漏极电流 (ID)	3 A	3 A	3 A	3 A	3 A
最大漏源导通电阻	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω	0.125 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
元件数量	2	2	2	2	2
端子数量	8	8	8	8	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A	10 A	10 A	10 A	10 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Is Samacsys	-	N	N	N	-
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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