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MBR30080CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 80V V(RRM), Silicon, MODULE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小874KB,共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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MBR30080CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 80V V(RRM), Silicon, MODULE-2

MBR30080CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Daco Semiconductor Co Ltd
包装说明R-XUFM-X2
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.84 V
JESD-30 代码R-XUFM-X2
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流150 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压80 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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MBR 30020C T (R )
DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
MBR 300100CT(R)
T HRU
SCHOTTKY DIODE MODULE TYPES 300A
Features
Types Up to
100V V
RRM
High Surge Capability
300Amp Recti er
20-100 Volts
TWIN TOWER
MBR30020CT(R)
MBR30030CT(R)
MBR30035CT(R)
MBR30040CT(R)
MBR30045CT(R)
MBR30060CT(R)
MBR30080CT(R)
Operating Temperature: -55 C to+150
Storage Temperatur: -55 C to +150
Maximum
Maximum DC
Maximum
Recurrent
Part Number Peak Reverse RMS Voltage
Blocking
Voltage
Voltage
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
14V
21V
25V
28V
32V
42V
57V
70V
20V
30V
35V
40V
45V
60V
80V
100V
Maximum Ratings
A
R
B
Q
N
G
W
U
F
U
C
V
E
MBR300100CT(R)
LUG
Teminal
Anode 1
LUG
Teminal
Anode 2
LUG
LUG
Teminal
Teminal
Cathode 1 Cathode 2
Electrical Characteristics
@
25
Average Forward
Current
(Per pkg)
Peak Forward Surge
Current
(Per leg)
Unless Otherwise Specified
300A
2000A
0.70V
0.75V
0.84V
I
F(AV)
I
FSM
V
F
TC =125
3
Baseplate
Common Cathode
Inches
Min
Max
3.630
0.800
0.650
0.141
0.490
BSC
1/4-20 UNC FULL
0.275
3.150
0.600
0.312
0.180
0.290
BSC
-----
0.370
0.195
3
8.3ms , half sine
DIM
Baseplate
R=Common Anode
Millimeters
Min
-----
17.78
-----
3.30
12.25
34.75
Max
92.40
20.32
16.51
3.60
12.45
BSC
Maximum
20V~45V
Instantaneous
Forward Voltage
50V~60V
(Per leg)
IFM
=150A; T
J
=25
A
B
C
-----
0.700
-----
0.130
0.482
1.368
80V~100V
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
(Per leg)
I
R
1mA
TJ = 25
10 mA
TJ =100
50 mA
TJ =150
0.40
E
F
G
N
R jc
/W
Q
R
U
V
W
6.99
80.01
15.24
7.92
4.57
7.37
BSC
-----
9.40
4.95
NOTE :
(1)
Pulse Test: Pulse Width 300
μsec.
Duty Cycle
<
2%
www.dacosemi.com.tw
-1-

 
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