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MBRB20150CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, Silicon, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小200KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
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MBRB20150CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, Silicon, D2PAK-3

MBRB20150CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明D2PAK-3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBRB20150CT
Technical Data
Data Sheet N0044, Rev. B
MBRB20150CT SCHOTTKY RECTIFIER
Features
150℃ T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
D
2
PAK
Circuit Diagram
Applications
Switching power supply
Converters
Free-Wheeling diodes
Reverse battery protection
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(Per Device)
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current(Per Leg)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @Tc=100°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Max.
150
10(Per Leg)
20(Per Device)
150
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop
(Per Leg) *
Reverse Current (Per Leg) *
Junction Capacitance(Per Leg)
Series Inductance(Per Leg)
Voltage Rate of Change
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
Symbol
V
F1
V
F2
I
R1
I
R2
C
T
L
S
dv/dt
Condition
@ 10A, Pulse, T
J
= 25
C
@ 10A, Pulse, T
J
= 125
C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 25
C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 125
C
@V
R
= 5V, T
C
= 25
C,
f
SIG
= 1MHz
Measured lead to lead 5 mm from
package body
-
Typ.
0.84
0.75
0.001
0.1
170
8.0
-
Max.
0.90
0.80
1
6.0
400
-
10,000
Units
V
V
mA
mA
pF
nH
V/s
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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