SNJ54ACT563J概述

ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20

SNJ54ACT563J规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP20,.3
针数	20
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	BROADSIDE VERSION OF 533
系列	ACT
JESD-30 代码	R-GDIP-T20
长度	24.195 mm
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER
最大I（ol）	0.024 A
位数	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	20
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出特性	3-STATE
输出极性	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
包装方法	TUBE
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	14.5 ns
传播延迟（tpd）	12.5 ns
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

SNJ54ACT563J相似产品对比

	SNJ54ACT563J	SN54ACT563W	SN54ACT563J	SN54ACT563FK	SNJ54ACT563FK	SNJ54ACT5634J
描述	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDFP20, CERAMIC, FP-20	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, CC-20	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20	ACT SERIES, 8-BIT DRIVER, INVERTED OUTPUT, CDIP20, CERAMIC, DIP-20
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DFP	DIP	QFN	QLCC	DIP
包装说明	DIP, DIP20,.3	DFP,	DIP,	QCCN,	CERAMIC, LCC-20	CERAMIC, DIP-20
针数	20	20	20	20	20	20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	BROADSIDE VERSION OF 533	BROADSIDE VERSION OF 533	-	BROADSIDE VERSION OF 533	BROADSIDE VERSION OF 533	-
系列	ACT	ACT	-	ACT	ACT	ACT
JESD-30 代码	R-GDIP-T20	R-GDFP-F20	-	S-CQCC-N20	S-CQCC-N20	R-GDIP-T20
长度	24.195 mm	13.09 mm	-	8.89 mm	8.89 mm	24.195 mm
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	-	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	BUS DRIVER	BUS DRIVER	-	BUS DRIVER	BUS DRIVER	BUS DRIVER
位数	8	8	-	8	8	8
功能数量	1	1	-	1	1	1
端口数量	2	2	-	2	2	2
端子数量	20	20	-	20	20	20
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C	-55 °C
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
输出极性	INVERTED	INVERTED	-	INVERTED	INVERTED	INVERTED
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DFP	-	QCCN	QCCN	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	-	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
传播延迟（tpd）	12.5 ns	12.5 ns	-	12.5 ns	12.5 ns	12.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	2.54 mm	-	2.03 mm	2.03 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	-	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	-	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	-	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	QUAD	QUAD	DUAL
宽度	7.62 mm	6.92 mm	-	8.89 mm	8.89 mm	7.62 mm

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