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BTB12-200C

产品描述TRIAC,200V V(DRM),12A I(T)RMS,TO-220
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小191KB,共4页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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BTB12-200C概述

TRIAC,200V V(DRM),12A I(T)RMS,TO-220

BTB12-200C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明,
Reach Compliance Codenot_compliant
换向电压的临界上升率-最小值5 V/us
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流25 mA
最大维持电流50 mA
JESD-609代码e0
最大漏电流0.5 mA
最大通态电压1.5 V
最大均方根通态电流12 A
断态重复峰值电压200 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型TRIAC

BTB12-200C相似产品对比

BTB12-200C BTA12-200C
描述 TRIAC,200V V(DRM),12A I(T)RMS,TO-220 TRIAC,200V V(DRM),12A I(T)RMS,TO-220
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
换向电压的临界上升率-最小值 5 V/us 5 V/us
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 25 mA 25 mA
最大维持电流 50 mA 50 mA
JESD-609代码 e0 e0
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA
最大通态电压 1.5 V 1.5 V
最大均方根通态电流 12 A 12 A
断态重复峰值电压 200 V 200 V
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 TRIAC TRIAC

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