1MX8 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 6 X 5 MM, VDFPN-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DFP |
| 包装说明 | HVSON, SOLCC8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 33 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 6 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 串行总线类型 | SPI |
| 最大待机电流 | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 25 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
| M45PE80-VMP6 | M45PE80-VMP6T | |
|---|---|---|
| 描述 | 1MX8 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 6 X 5 MM, VDFPN-8 | 1MX8 FLASH 2.7V PROM, DSO8, 6 X 5 MM, VDFPN-8 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DFP | DFP |
| 包装说明 | HVSON, SOLCC8,.25 | HVSON, SOLCC8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 33 MHz | 33 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 20 | 20 |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-N8 | R-XDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 6 mm | 6 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVSON | HVSON |
| 封装等效代码 | SOLCC8,.25 | SOLCC8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 2.7 V | 2.7 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
| 串行总线类型 | SPI | SPI |
| 最大待机电流 | 0.00001 A | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.015 mA | 0.015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 5 mm | 5 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 25 ms | 25 ms |
| 写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
