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PMBD353T/R

产品描述DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Microwave Mixer Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准  
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PMBD353T/R概述

DIODE SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB, PLASTIC, SMD, 3 PIN, Microwave Mixer Diode

PMBD353T/R规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT-23
包装说明PLASTIC, SMD, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大二极管电容1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.6 V
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度100 °C
最大输出电流0.03 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压4 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40

 
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