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72V51243L6BB

产品描述PBGA-256, Tray
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文件大小459KB,共50页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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72V51243L6BB概述

PBGA-256, Tray

72V51243L6BB规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PBGA
包装说明BGA, BGA256,16X16,40
针数256
制造商包装代码BB256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间3.7 ns
其他特性ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
备用内存宽度9
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
周期时间6 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量256
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.5 mm
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度17 mm

72V51243L6BB相似产品对比

72V51243L6BB 72V51233L7-5BB 72V51233L7-5BBI 72V51243L7-5BB
描述 PBGA-256, Tray PBGA-256, Tray PBGA-256, Tray PBGA-256, Tray
Brand Name Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology Integrated Device Technology
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 PBGA PBGA PBGA PBGA
包装说明 BGA, BGA256,16X16,40 BGA, BGA256,16X16,40 BGA, BGA256,16X16,40 BGA, BGA256,16X16,40
针数 256 256 256 256
制造商包装代码 BB256 BB256 BB256 BB256
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 3.7 ns 4 ns 4 ns 4 ns
其他特性 ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
备用内存宽度 9 9 9 9
最大时钟频率 (fCLK) 166 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
周期时间 6 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256 S-PBGA-B256
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 1179648 bit 589824 bit 589824 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端子数量 256 256 256 256
字数 65536 words 32768 words 32768 words 65536 words
字数代码 64000 32000 32000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 64KX18 32KX18 32KX18 64KX18
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40 BGA256,16X16,40
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm 3.5 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
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