Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-202AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Harris |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 30 V |
| 配置 | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
| JEDEC-95代码 | TO-202AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 10 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
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