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PTB20081概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	EMITTER
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F4
JESD-609代码	e3
元件数量	2
端子数量	4
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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