电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

PN201

产品描述65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小50KB,共1页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

PN201概述

65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

PN201规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.4 V

PN201相似产品对比

PN201 MMBT201
描述 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 65V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 65 V 65 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JEDEC-95代码 TO-92 TO-236AB
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.4 V 0.4 V

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1640  193  2500  2166  2209  34  4  51  44  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved