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MMSF3P03HDR1

产品描述4600mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小278KB,共7页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MMSF3P03HDR1概述

4600mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

MMSF3P03HDR1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)4.6 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)190 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值2.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

MMSF3P03HDR1相似产品对比

MMSF3P03HDR1
描述 4600mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
厂商名称 Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V
最大漏极电流 (ID) 4.6 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 190 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
功耗环境最大值 2.5 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
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晶体管元件材料 SILICON
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