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MTD20P03HDLT4

产品描述TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,19A I(D),TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小740KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MTD20P03HDLT4概述

TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,19A I(D),TO-252AA

MTD20P03HDLT4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)74 W
表面贴装YES

MTD20P03HDLT4相似产品对比

MTD20P03HDLT4 MTD20P03HDL
描述 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,19A I(D),TO-252AA TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,19A I(D),TO-252AA
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 19 A 19 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 74 W 74 W
表面贴装 YES YES
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