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MUN5233DW1T1

产品描述PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小374KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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MUN5233DW1T1概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

MUN5233DW1T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)80
元件数量2
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON

MUN5233DW1T1相似产品对比

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描述 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363 PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 80 35 160 15
元件数量 2 2 2 2
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.15 W
表面贴装 YES YES YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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