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NDT410EL/D84Z

产品描述2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小176KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

NDT410EL/D84Z概述

2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT410EL/D84Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)15 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)2.1 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)10 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)160 ns
最大开启时间(吨)140 ns

NDT410EL/D84Z相似产品对比

NDT410EL/D84Z NDT410EL/S62Z NDT410EL/L99Z
描述 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 15 mJ 15 mJ 15 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 2.1 A 2.1 A 2.1 A
最大漏源导通电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-261 TO-261 TO-261
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 1.1 W 1.1 W 1.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 10 A 10 A 10 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 160 ns 160 ns 160 ns
最大开启时间(吨) 140 ns 140 ns 140 ns
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