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NDT410EL概述

2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261

NDT410EL规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	15 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.1 A
最大漏极电流 (ID)	2.1 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-261
JESD-30 代码	R-PDSO-G4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	1.1 W
最大功率耗散 (Abs)	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	160 ns
最大开启时间（吨）	140 ns

NDT410EL相似产品对比

	NDT410EL	NDT410EL/J23Z
描述	2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261	2.1A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.1 A	2.1 A
最大漏极电流 (ID)	2.1 A	2.1 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G4	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	4	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3 W	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	10 A	10 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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