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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MBR2045CT
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MBR2045CT

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小228KB，共3页
制造商Fagor Electrónica
标准  
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MBR2045CT概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

MBR2045CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Fagor Electrónica
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MBR20CT
20 Amp. Schottky Barrier Rectifier
TO-220AB
2
Voltage
45 to 200 V
Current
20 A
• Metal silicon junction, majority carrier
conduction
• High current capability
• The plastic material
   U/L recognition 94 V-0
2
Case
12
3
1
3
• Terminals: Leads solderable per
MIL-STD202
• Low forward Voltage drop
Common Cathode
Suffix "C"
Absolute Maximum Ratings, according to IEC publication No. 134
MBR2045CT MBR2060CT MBR20100CT MBR20200CT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV)
Peak recurrent reverse voltage (V)
Maximum RMS voltage (V)
Maximum DC blocking voltage (V)
Maximum average Forward current
at T
C
= 135 °C
(both diodes conducting)
I
FSM
I
RRM
Tj
T
stg
8.3 ms. peak forward surge current
(Jedec Method)
45
31
45
60
42
60
20 A
100
70
100
200
140
200
150 A
1.0 A
0.5 A
– 65 to + 150 °C
– 65 to + 175 °C
Peak repetitive reverse surge current
Operating temperature range
Storage temperature range
Electrical Characteristics
MBR2045CT MBR2060CT MBR20100CT MBR20200CT
V
F
Max. forward voltage drop
at I
F
= 10 A
Max. forward voltage drop
at I
F
= 20 A
I
R
Max. Instantaneous reverse
current at V
R
= V
RRMax
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
R
thj-c
15.0 mA
--
0.57 V
0.84 V
0.72 V
0.80 V
0.70 V
0.95 V
0.85 V
0.85 V
0.75 V
0.95 V
0.85 V
0.90 V
0.87 V
1.23 V
1.10 V
0.10 mA
10.0 mA
5.0 mA
0.15 mA
Typical Thermal Resistance
1.0 °C/W
2.0 °C/W
Mar - 10

MBR2045CT相似产品对比

MBR2045CT MBR20200CT MBR2060CT
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 45V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
厂商名称 Fagor Electrónica Fagor Electrónica Fagor Electrónica
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
元件数量 2 2 2
相数 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 20 A 20 A 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 45 V 200 V 60 V
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 Tin (Sn) TIN Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
其他特性 UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED

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