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MV2109RLRP

产品描述HF-UHF BAND, 33pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MV2109RLRP概述

HF-UHF BAND, 33pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN

MV2109RLRP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 182-06
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压30 V
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容33 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)240
最大功率耗散0.28 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
变容二极管分类ABRUPT

MV2109RLRP相似产品对比

MV2109RLRP MMBV2108L MMBV2103L
描述 HF-UHF BAND, 33pF, 30V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN 27pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN 10pF, 30V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-92 SOT-23 SOT-23
包装说明 PLASTIC, CASE 182-06, TO-226AC, 2 PIN LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数 3 3 3
制造商包装代码 CASE 182-06 CASE 318-08 CASE 318-08
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH Q, HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
最小击穿电压 30 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管电容容差 10% 10% 10%
最小二极管电容比 2.5 2.5 2.5
标称二极管电容 33 pF 27 pF 10 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 TO-92 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 O-PBCY-T2 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240
最大功率耗散 0.28 W 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 200 300 400
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V
表面贴装 NO YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
MSP430G2553 SPI UART
void SPI_Init(void){UCB0CTL0 = UCMSB + UCMST + UCMODE_1 + UCSYNC; // MSB First; Set TBA as master; 4Pin Mode, slave active on UCB1STE=NCS low; SPI ModeUCB0CTL1 = UCSWRST + UCSSEL_2; // Reset and hold ...
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