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MMBD701

产品描述Small Signal Schottky Diode; Configuration: Single; VRRM Max (V): 70V; IAV Max (A): 0.2; VFM Max (V): 1V; @ IF (A): 0.01A; IR Max (uA): 0.2uA; @VR (V): 35V; Pin: F2; Package: SOT-23
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
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MMBD701概述

Small Signal Schottky Diode; Configuration: Single; VRRM Max (V): 70V; IAV Max (A): 0.2; VFM Max (V): 1V; @ IF (A): 0.01A; IR Max (uA): 0.2uA; @VR (V): 35V; Pin: F2; Package: SOT-23

MMBD701规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SOT-23
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
应用GENERAL PURPOSE
最小击穿电压70 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向电流0.2 µA
反向测试电压35 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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Production specification
Schottky Barrier Diodes
FEATURES
Surface mount package ideally suited
for automatic insertion.
MMBD701
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
Sourced from process GE.
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Type No.
MMBD701
Marking
5HF
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
DC Reverse Voltage
Working inverse Voltage
Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
R
W
iv
P
d
T
j
T
STG
Limits
70
35
200
-55 to +125
-55 to +150
Unit
V
V
mW
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Symbol
V
(BR)R
Min.
70
500
1000
200
1.0
TYP.
MAX
UNIT
V
Test Condition
I
R
=10μA
I
F
=1.0mA
I
F
=10mA
V
R
=35V
V
R
=20V,f=1.0MHz
Forward Voltage
V
F
I
R
C
D
mV
Reverse Current
Diode Capacitance
nA
pF
C140
Rev.A
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