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1N5397

产品描述1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小256KB,共2页
制造商SY
官网地址http://www.shunyegroup.com/
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1N5397概述

1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41

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1N5391 THRU 1N5399
GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 1000 Volts
DO-15
Forward Current -
1.5Amperes
FEATURES
1.0 (25.4)
MIN.
0.140 (3.6)
0.104(2.6)
DIA.
0.300(7.6)
0.230(5.8)
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Construction utilizes void-free
molded plastic technique
Low reverse leakage
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250 C/10 seconds,0.375
(9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
MECHANICAL DATA
1.0 (25.4)
MIN.
0.034 (0.90)
0.028 (0.70)
DIA.
Dimensions in inches and (millimeters)
Case:
JEDEC DO-15 molded plastic body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:0.014
ounce, 0.40 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
SYMBOLS
1N
1N 1N 1N
1N
1N
5391 5392 5393 5394 5395 5396
1N
1N
1N
5397 5398 5399
UNITS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375”(9.5mm) lead length at T
A
=75 C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 1.5A
Maximum DC reverse current
T
A
=25 C
at rated DC blocking voltage
T
A
=100 C
Typical junction capacitance (NOTE 1)
Typical thermal resistance (NOTE 2)
Operating junction and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100 200 300 400 500
70 140 210 280 350
100 200 300 400 500
1.5
600 800 1000 VOLTS
420 560 700 VOLTS
600 800 1000 VOLTS
Amps
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
q
JA
T
J
,
T
STG
50.0
1.4
5.0
50.0
20.0
50.0
-65 to +175
Amps
Volts
u
A
pF
C/W
C
Note:1.Measured
at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted
www.shunyegroup.com

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描述 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-41 1.5 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL 1.5 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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