8-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP28, CERDIP-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
信道数量 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
标称断态隔离度 | 50 dB |
通态电阻匹配规范 | 126 Ω |
最大通态电阻 (Ron) | 1800 Ω |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.92 mm |
最大信号电流 | 0.008 A |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
最长断开时间 | 1000 ns |
最长接通时间 | 1000 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
总剂量 | 10k Rad(Si) V |
宽度 | 15.24 mm |
HS1-0547RH-Q | HS1-0546RH-Q | |
---|---|---|
描述 | 8-CHANNEL, DIFFERENTIAL MULTIPLEXER, CDIP28, CERDIP-28 | 16-CHANNEL, SGL ENDED MULTIPLEXER, CDIP28 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | DIP | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
模拟集成电路 - 其他类型 | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | SINGLE-ENDED MULTIPLEXER |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
信道数量 | 8 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 |
标称断态隔离度 | 50 dB | 50 dB |
通态电阻匹配规范 | 126 Ω | 126 Ω |
最大通态电阻 (Ron) | 1800 Ω | 1800 Ω |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度 | 5.92 mm | 5.92 mm |
最大信号电流 | 0.008 A | 0.008 A |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | NO |
最长断开时间 | 1000 ns | 1000 ns |
最长接通时间 | 1000 ns | 1000 ns |
切换 | BREAK-BEFORE-MAKE | BREAK-BEFORE-MAKE |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | MILITARY | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | NOT SPECIFIED |
总剂量 | 10k Rad(Si) V | 10k Rad(Si) V |
宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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