16-BIT, 5MHz, MICROPROCESSOR, CDIP40, SIDE BRAZED, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-40
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 |
| 针数 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 其他特性 | QUALIFIED TO MIL-38535-Q |
| 地址总线宽度 | 20 |
| 位大小 | 16 |
| 边界扫描 | NO |
| 最大时钟频率 | 5 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 16 |
| 格式 | FIXED POINT |
| 集成缓存 | NO |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T40 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 低功率模式 | YES |
| 端子数量 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 速度 | 5 MHz |
| 最大压摆率 | 60 mA |
| 最大供电电压 | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR |
| HS1-80C86RH-8 | HS9-80C86RH-8 | HS1-80C86RH/PROTO | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 16-BIT, 5MHz, MICROPROCESSOR, CDIP40, SIDE BRAZED, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-40 | 16-BIT, 5MHz, MICROPROCESSOR, CDFP42, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-42 | 16-BIT, 5MHz, MICROPROCESSOR, CDIP40, SIDE BRAZED, METAL SEALED, CERAMIC, DIP-40 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | DIP | DFP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP40,.6 | DFP, FL42,.7 | DIP, |
| 针数 | 40 | 42 | 40 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 地址总线宽度 | 20 | 20 | 20 |
| 位大小 | 16 | 16 | 16 |
| 边界扫描 | NO | NO | NO |
| 最大时钟频率 | 5 MHz | 5 MHz | 5 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 格式 | FIXED POINT | FIXED POINT | FIXED POINT |
| 集成缓存 | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T40 | R-CDFP-F42 | R-CDIP-T40 |
| 低功率模式 | YES | YES | YES |
| 端子数量 | 40 | 42 | 40 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DFP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 2.54 mm | 5.72 mm |
| 速度 | 5 MHz | 5 MHz | 5 MHz |
| 最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 15.24 mm | 16.255 mm | 15.24 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MICROPROCESSOR | MICROPROCESSOR | MICROPROCESSOR |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 其他特性 | QUALIFIED TO MIL-38535-Q | QUALIFIED TO MIL-38535-Q | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
| 封装等效代码 | DIP40,.6 | FL42,.7 | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | - |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class Q | MIL-PRF-38535 Class Q | - |
| 端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT APPLICABLE | - |
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