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HGT1S15N120C3S9A

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小283KB,共11页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HGT1S15N120C3S9A概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

HGT1S15N120C3S9A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)35 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)820 ns
标称接通时间 (ton)42 ns

HGT1S15N120C3S9A相似产品对比

HGT1S15N120C3S9A
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
厂商名称 Harris
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 35 A
集电极-发射极最大电压 1200 V
配置 SINGLE
JEDEC-95代码 TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
元件数量 1
端子数量 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON
标称断开时间 (toff) 820 ns
标称接通时间 (ton) 42 ns
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