TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-263AB
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant |
最大集电极电流 (IC) | 35 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
最大降落时间(tf) | 400 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 164 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
HGT1S15N120C3S | HGT1S15N120C3 | HGTP15N120C3 | HGTG15N120C3 | |
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描述 | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-263AB | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-262AA | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-220AB | TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-247 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | _compli |
最大集电极电流 (IC) | 35 A | 35 A | 35 A | 35 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
最大降落时间(tf) | 400 ns | 400 ns | 400 ns | 400 ns |
门极发射器阈值电压最大值 | 7.5 V | 7.5 V | 7.5 V | 7.5 V |
门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 164 W | 164 W | 164 W | 164 W |
表面贴装 | YES | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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