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HGT1S15N120C3S

产品描述TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-263AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小139KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGT1S15N120C3S概述

TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-263AB

HGT1S15N120C3S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codenot_compliant
最大集电极电流 (IC)35 A
集电极-发射极最大电压1200 V
最大降落时间(tf)400 ns
门极发射器阈值电压最大值7.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)164 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

HGT1S15N120C3S相似产品对比

HGT1S15N120C3S HGT1S15N120C3 HGTP15N120C3 HGTG15N120C3
描述 TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-263AB TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-262AA TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-220AB TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,1.2KV V(BR)CES,35A I(C),TO-247
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
最大集电极电流 (IC) 35 A 35 A 35 A 35 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
最大降落时间(tf) 400 ns 400 ns 400 ns 400 ns
门极发射器阈值电压最大值 7.5 V 7.5 V 7.5 V 7.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 164 W 164 W 164 W 164 W
表面贴装 YES NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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