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IDT70V3399S133BCI

产品描述Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
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文件大小343KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V3399S133BCI概述

Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256

IDT70V3399S133BCI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
其他特性PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度17 mm

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HIGH-SPEED 3.3V
256/128K x 18
IDT70V3319/99S
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
– Due to limited pin count PL/
FT
option is not supported
on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined
outputs only on each port.
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-pin fine
pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the
128-pin TQFP package.
Functional Block Diagram
UB
L
LB
L
UB
R
LB
R
FT/PIPE
L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT/PIPE
R
R/W
L
CE
0L
CE
1L
1
0
1/0
B
W
0
L
B
W
1
L
B B
WW
1 0
R R
1
0
1/0
R/W
R
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
1b 0b 1a 0a
0a 1a 0b 1b
0/1
,
FT/PIPE
R
FT/PIPE
L
0/1
ab
ba
256K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
17L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
CLK
L
A
17L(1)
A
0L
REPEAT
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
A
17R(1)
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
REPEAT
R
ADS
R
CNTEN
R
5623 tbl 01
TDI
NOTE:
1. A
17
is a NC for IDT70V3399.
JTAG
TDO
TCK
TMS
TRST
MAY 2003
1
DSC 5623/7
©2003 Integrated Device Technology, Inc.
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