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AMC2112-2

产品描述Standard SRAM, 256X4, 650ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-16
产品类别存储    存储   
文件大小246KB,共6页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AMC2112-2概述

Standard SRAM, 256X4, 650ns, NMOS, CDIP16, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-16

AMC2112-2规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间650 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T16
长度20.32 mm
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256X4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm
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