Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M5M51004CJ-20

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M5M51004CJ-20: 产品描述Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共5页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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M5M51004CJ-20概述

Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28

M5M51004CJ-20规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ28,.44
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J28
JESD-609代码	e0
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ28,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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M5M51004CJ-20相似产品对比

	M5M51004CJ-20	M5M51004CJ-20T	M5M51004CJ-15	M5M51004CJ-15T	M5M51004CJ-12	M5M51004CJ-12T
描述	Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ28,.44	SOJ,	SOJ, SOJ28,.44	SOJ,	SOJ, SOJ28,.44	0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
针数	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns	20 ns	15 ns	15 ns	12 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

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