IDT72V51333L6BBG,IDT72V51333L6BBG pdf中文资料,IDT72V51333L6BBG引脚图,IDT72V51333L6BBG电路-Datasheet-电子工程世界

IDT72V51333L6BBG: 产品描述FIFO, 32KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256; 产品类别存储存储; 文件大小459KB，共49页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT72V51333L6BBG概述

FIFO, 32KX18, 3.7ns, Synchronous, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	BGA
包装说明	17 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-256
针数	256
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	3.7 ns
其他特性	ALTERNATIVE MEMORY WIDTH:9-BIT
周期时间	6 ns
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
长度	17 mm
内存密度	589824 bit
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	256
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX18
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	17 mm

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